巴塞罗那赞助

      <meter id="SF3uV44"></meter>

      <meter id="SF3uV44"></meter>

          <sub id="SF3uV44"></sub>

                <dfn id="SF3uV44"></dfn>

                <listing id="SF3uV44"></listing>

                   
                   
                  收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
                     

                  巴塞罗那赞助_爱博网站

                  近日,lovebet体育|爱博体育|lovebet官网研究员Henry Radamson和副研究员王桂磊在先导中心8寸平台上成功制造绝缘体上张应变锗(TSGOI)晶圆。该项技术突破,实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调,使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。这一成果为微电子学和光子学的单片集成提供了新的路径和解决方案。
                    综合新闻
                    科研动态
                    合作交流
                    发表文章
                    党务公开
                    业内信息
                    电子期刊
                  《芯天地》2018年第3期
                  目 录 特别报道 1. 微电子所成功举办第五届科技开放日暨六十周年所庆专场 2. 微电子所与苏州工业园区管...
                    通知公告
                    招生招聘
                1. lovebet体育|爱博体育|lovebet官网信息中心业务主管岗位公开招聘启事
                2. lovebet体育|爱博体育|lovebet官网科教融合中心业务主管招聘启事
                3.     lovebet体育|爱博体育|lovebet官网版权所有 邮编:100029
                  单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
                  京公网安备110402500036号
                   
                  巴塞罗那赞助 巴萨球衣赞助商lovebet 巴萨球衣赞助商lovebet 巴萨球衣赞助商lovebet 巴萨球衣赞助商lovebet
                  上下分斗牛平台 时时彩平台 50元可提现的棋牌游戏 uedbet官网 爱博国际网投
                  爱博体育app靠谱吗| lovebet皇马球衣赞助| lovebet爱博黑吗|